下面小编给大家整理电解有机溶液法在Si表面制备类金刚石薄膜及退火对其结构的影响，本文共3篇，希望大家喜欢！
篇1：电解有机溶液法在Si表面制备类金刚石薄膜及退火对其结构的影响
电解有机溶液法在Si表面制备类金刚石薄膜及退火对其结构的影响
在对不同有机溶剂分子结构分析的基础上,选取甲醇、DMF(N,N-二甲基甲酰胺)和乙腈溶液为碳源,以脉冲直流电源电解有机溶液的方法在Si片上制得了含氢类金刚石薄膜(DLC薄膜),并研究了退火对薄膜结构的影响.通过X射线光电子能谱(XPS),喇曼(Raman)和红外(IR)光谱对薄膜的结构进行了分析表征.XPS表明薄膜的主要成分为C,喇曼光谱显示所得薄膜为典型DLC薄膜.喇曼和红外光谱还表明,膜中含有大量H并且主要键合于sp3碳处.随着退火的.进行薄膜中的H被去除.随温度升高薄膜电阻率的下降及喇曼峰形和峰位置的变化表明,C的价键结构逐渐从sp3转化为sp2结构,即薄膜经历了一石墨化过程.通过三种溶液中所得薄膜的物理性能和各谱图特征几乎相同的事实和对三种溶液分子结构的比较推测,甲基为此液相制备DLC薄膜法的功能团,更有效的C源可从高介电常量的含甲基极性溶剂中选取.
作 者：郭栋 蔡锴 李龙土 桂治轮 作者单位：清华大学材料科学与工程系,北京,100084 刊 名：物理学报 ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 50(12) 分类号：O4 关键词：类金刚石薄膜 退火篇2：基片温度对强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积类金刚石薄膜结构和性能的影响
基片温度对强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积类金刚石薄膜结构和性能的影响
利用强流脉冲离子束(High-intensity pulsed ion beam-HIPIB)烧蚀等离子体技术在Si(100)基体上沉积类金刚石(Diamond-like carbon-DLC)薄膜,基片温度的变化范围从25 ℃(室温)到400 ℃.利用Raman谱、X射线光电子谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究基片温度对DLC薄膜的.化学结合状态、表面粗糙度、薄膜显微硬度和薄膜内应力的影响.根据XPS和Raman谱分析得出,基片温度低于300 ℃时,sp3C杂化键的含量大约在40%左右;从300 ℃开始发生sp3C向sp2C的石墨化转变.随着沉积薄膜时基片温度的提高,DLC薄膜中sp3C的含量降低,由25 ℃时42.5%降到400 ℃时8.1%,XRD和AFM分析得出,随着基片温度的增加,DLC薄膜的表面粗糙度增大,薄膜的纳米显微硬度降低,摩擦系数提高,内应力降低.基片温度为100 ℃时沉积的DLC薄膜的综合性能最好,纳米显微硬度22 GPa,表面粗糙度为0.75 nm,摩擦系数为0.110.
作 者：梅显秀 刘振民 马腾才 作者单位：大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 刊 名：真空科学与技术学报 ISTIC EI PKU英文刊名：VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 23(4) 分类号：O484 关键词：强流脉冲离子束烧蚀等离子体沉积 类金刚石薄膜 结构和性能 基片温度篇3：基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO2薄膜结构与亲水性的影响
基片温度对直流反应磁控溅射法制备玻璃基TiO2薄膜结构与亲水性的影响
在工作气压为2.0 Pa的氧气氛下, 通过改变基片温度(室温, 280 ℃, 420 ℃), 在预先镀10 nm左右SiO2的普通玻璃基片上用直流磁控溅射法制备了300 nm左右的TiO2薄膜试样.用X射线光电子能谱和X射线衍射仪分别研究了试样的表面元素组成、离子状态和物相组成, 用接触角分析仪测试了试样在紫外光照射后的水润湿角.结果表明: 试样表面的钛离子都以+4价的形式存在, 氧化钛表面易吸附OH-和CO32-, 氧化钛中n (O)∶n (Ti) =1.90～1.97; 基片不加热时, 试样是非晶态, 升高基片温度, 薄膜结晶逐渐完善, 并以锐钛矿形式存在. 在相同时间的紫外线照射下, 非晶TiO2膜的.润湿角从34 °降低到22 °,而结晶完好的试样的润湿角从18 °～24 °降低到5 °.
作 者：赵青南 刘保顺 赵修建 SLEIGHT A W 作者单位：赵青南(武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室;武汉理工大学材料研究与测试中心,武汉,430070)刘保顺,赵修建(武汉理工大学,硅酸盐材料工程教育部重点实验室)
SLEIGHT A W(美国俄勒冈州立大学化学系新材料研究中心,Corvallis,OR 97331,USA)
刊 名：硅酸盐学报 ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY 年，卷(期)：2003 31(7) 分类号：O647 关键词：二氧化钛薄膜 亲水性 直流磁控溅射 基片温度
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